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RF BJT 晶体管 / BLW86
- 价格 起订量
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- 型号： BLW86
- 厂商： Advanced
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装： Axial
- 描述： RF Bipolar Transistors RF Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial
- 供应商器件包装：Axial
- Emitter- Base Voltage VEBO：4 V
- Pd - Power Dissipation：60 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：5
- Unit Weight：1.304431 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Mounting Styles：螺钉安装
- Manufacturer：Advanced Semiconductor, Inc.
- Brand：Advanced Semiconductor, Inc.
- Maximum DC Collector Current：12 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：35 V
- 操作温度：-65°C ~ 175°C
- 系列：Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
- 容差：±0.5%
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- 温度系数：±25ppm/°C
- 类型：射频双极功率
- 电阻：1.07 kOhms
- 组成：Metal Film
- 功率(瓦特)：0.125W, 1/8W
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 工作频率：175 MHz
- 失败率：P (0.1%)
- 产品类别：射频双极晶体管
- 晶体管类型：双极电源
- 连续集电极电流：5 A
- 特征：Military, Moisture Resistant, Weldable
- 产品类别：射频双极晶体管
- 座位高度(最大)：--
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