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存储器 / CY7C1021BN-15ZXC
- 价格 起订量
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- 型号： CY7C1021BN-15ZXC
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 存储器
- 封装： Axial
- 描述： IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：Axial
- 终端数量：44
- Package：Tube
- Base Product Number：CY7C1021
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：Obsolete
- Memory Types：Volatile
- Package Description：LEAD FREE, TSOP2-44
- Package Style：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Number of Words Code：64000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：20
- Access Time-Max：15 ns
- Operating Temperature-Max：70 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：CY7C1021BN-15ZXC
- Number of Words：65536 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：5 V
- Package Code：TSOP2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.61
- Part Package Code：TSOP2
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
- 操作温度：-65°C ~ 175°C
- 尺寸/尺寸：0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
- 容差：±0.1%
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- 温度系数：±50ppm/°C
- 电阻：126 Ohms
- 端子表面处理：TIN
- 组成：Metal Film
- 功率(瓦特)：0.125W, 1/8W
- 技术：SRAM - Asynchronous
- 电压 - 供电 ：4.5V ~ 5.5V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：44
- JESD-30代码：R-PDSO-G44
- 资历状况：COMMERCIAL
- 失败率：S (0.001%)
- 电源电压-最大值(Vsup)：5.5 V
- 温度等级：COMMERCIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：4.5 V
- 内存大小：1Mbit
- 操作模式：ASYNCHRONOUS
- 访问时间：15 ns
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 组织结构：64KX16
- 座位高度-最大：1.194 mm
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 记忆密度：1048576 bit
- 并行/串行：PARALLEL
- 内存IC类型：标准SRAM
- 特征：Military, Moisture Resistant, Weldable
- 组织的记忆：64K x 16
- 座位高度(最大)：--
- 宽度：10.16 mm
- 长度：18.415 mm
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