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存储器 / CY7C2644KV18-333BZXI
- 价格 起订量
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- 型号: CY7C2644KV18-333BZXI
- 厂商: Infineon(英飞凌)
- 类别: 存储器
- 封装: 165-LBGA
- 描述: SRAM Chip Sync Single 1.7V 144M-Bit 4M x 36 165-Pin FBGA Tray
- 库存地点: 内地
- 库存: 818
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:165-LBGA
- 表面安装:YES
- 供应商器件包装:165-FBGA (15x17)
- 终端数量:165
- Package:Tray
- Base Product Number:CY7C2644
- 厂商:Infineon Technologies
- Product Status:活跃
- Memory Types:Volatile
- Moisture Sensitive:有
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:210
- RoHS:Details
- Brand:Infineon Technologies
- Manufacturer:Infineon
- Package Description:LBGA,
- Package Style:GRID ARRAY, LOW PROFILE
- Number of Words Code:8000000
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min:-40 °C
- Access Time-Max:0.45 ns
- Operating Temperature-Max:85 °C
- Rohs Code:有
- Manufacturer Part Number:CY7C2644KV18-333BZXI
- Number of Words:8388608 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup):1.8 V
- Package Code:LBGA
- Package Shape:RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank:5.78
- 操作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 系列:-
- 包装:Tray
- ECCN 代码:3A991.B.2.A
- HTS代码:8542.32.00.41
- 子类别:Memory & Data Storage
- 技术:SRAM - Synchronous, QDR II+
- 电压 - 供电 :1.7V ~ 1.9V
- 端子位置:BOTTOM
- 终端形式:BALL
- 功能数量:1
- 端子间距:1 mm
- Reach合规守则:compliant
- JESD-30代码:R-PBGA-B165
- 电源电压-最大值(Vsup):1.9 V
- 温度等级:INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup):1.7 V
- 内存大小:144Mbit
- 操作模式:SYNCHRONOUS
- 时钟频率:333 MHz
- 内存格式:SRAM
- 内存接口:Parallel
- 组织结构:8MX18
- 座位高度-最大:1.4 mm
- 内存宽度:18
- 写入周期时间 - 字符、页面:-
- 产品类别:SRAM
- 记忆密度:144
- 并行/串行:PARALLEL
- 内存IC类型:QDR SRAM
- 产品类别:SRAM
- 组织的记忆:4M x 36
- 宽度:15 mm
- 长度:17 mm
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