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单片IGBT晶体管 / APT50GN120B2G
- 价格 起订量
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- 型号： APT50GN120B2G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3 Variant
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 134A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
- 库存地点： 内地
- 库存： 45
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3 Variant
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 房屋材料：Polyamide (PA46), Nylon 4/6, Glass Filled
- 位置或引脚数量(网格)：32 (2 x 16)
- 触点材料 - 配套：铍铜
- 触点材料 - 柱子：磷青铜
- Contact Finish Mating：Gold
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：134 A
- Base Product Number：APT50GN120
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Test Conditions：800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2 kV
- Voltage Rating (DC)：1.2 kV
- RoHS：Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 20 V, + 20 V
- 操作温度：-55°C ~ 125°C
- 系列：503
- 包装：Bulk
- 零件状态：活跃
- 终端：Wire Wrap
- 类型：DIP, 0.9 (22.86mm) Row Spacing
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：IGBTs
- 最大功率耗散：543 W
- 技术：Si
- 额定电流：3A
- 间距 - 配套：0.100 (2.54mm)
- 触点表面处理 - 柱子：Gold
- 触点电阻：--
- 元素配置：Single
- 功率耗散：543
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：543 W
- 产品类别：IGBT晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2 kV
- 最大集电极电流：134 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 端子柱长度：0.500 (12.70mm)
- 间距--柱子：0.100 (2.54mm)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 50A
- 连续集电极电流：134
- IGBT类型：NPT, Trench Field Stop
- 闸门收费：315 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：150 A
- Td（开/关）@25°C：28ns/320ns
- 开关能量：4495µJ (off)
- 特征：封闭框架
- 产品类别：IGBT晶体管
- 触点表面处理厚度 - 配套：10.0µin (0.25µm)
- 触点表面处理厚度 - 柱子：10.0µin (0.25µm)
- 材料可燃性等级：UL94 V-0
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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