简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / AFGHL75T65SQ
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： AFGHL75T65SQ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Transistor IGBT N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 1530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-247-3
- Maximum Gate Emitter Voltage：±20V
- Package Type：TO-247
- Maximum Collector Emitter Voltage：650 V
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Pd - Power Dissipation：375 W
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：30
- Continuous Collector Current at 25 C：80 A
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：onsemi
- Brand：onsemi
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：650 V
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：80 A
- Base Product Number：AFGHL75
- 厂商：onsemi
- Product Status：活跃
- Test Conditions：400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 功率耗散：375W
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：375 W
- 产品类别：IGBT晶体管
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 信道型：N
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 75A
- 连续集电极电流：75A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：139 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：300 A
- Td（开/关）@25°C：25ns/106ns
- 开关能量：1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
- 产品类别：IGBT晶体管
相关产品
