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单相BJT晶体管 / 2N2907AUB
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: 2N2907AUB
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: SMD-3
- 描述: Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin UB
- 库存地点: 内地
- 库存: 1086
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳:SMD-3
- 安装类型:表面贴装
- 表面安装:YES
- 供应商器件包装:UB
- 终端数量:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Transistor Polarity:PNP
- Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
- Pd - Power Dissipation:500 mW
- Maximum Operating Temperature:+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min:50
- Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
- Unit Weight:0.060162 oz
- Minimum Operating Temperature:- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Mounting Styles:SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT:-
- Manufacturer:Microchip
- Brand:Microchip Technology / Atmel
- Maximum DC Collector Current:600 mA
- DC Current Gain hFE Max:450
- RoHS:N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
- Package:Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max):600 mA
- Base Product Number:2N2907
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Package Description:HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
- Package Style:小概要
- Package Body Material:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:200 °C
- Rohs Code:无
- Manufacturer Part Number:2N2907AUB
- Turn-on Time-Max (ton):45 ns
- Package Shape:RECTANGULAR
- Number of Elements:1
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff):300 ns
- Risk Rank:0.73
- Part Package Code:SOT
- 包装:Waffle
- 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列:-
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:无
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡铅
- HTS代码:8541.21.00.95
- 子类别:Transistors
- 技术:Si
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:unknown
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-CDSO-N3
- 资历状况:不合格
- 配置:Single
- 功率耗散:500
- 功率 - 最大:500 mW
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:PNP
- 产品类别:BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型:PNP
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流:50nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.6V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
- 频率转换:-
- 集电极基极电压(VCBO):60 V
- 最大耗散功率(Abs):1.16 W
- 集电极电流-最大值(IC):0.6 A
- 最小直流增益(hFE):50
- 连续集电极电流:600
- 集电极-发射器电压-最大值:60 V
- 产品类别:Bipolar Transistors - BJT
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