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单MOSFET晶体管 / APT106N60B2C6
- 价格 起订量
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- 型号： APT106N60B2C6
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3 Variant
- 描述： 600 V 0.035 Ohm 308 nC Super Junction MOSFET-TO-247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3 Variant
- 供应商器件包装：T-MAX™ [B2]
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：APT106N60B2C6
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Package Description：TMAX-3
- Risk Rank：2.42
- Drain Current-Max (ID)：106 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：IN-LINE
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Continuous Drain Current Id：106
- Package：Tube
- Base Product Number：APT106
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：106A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：833W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：833
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：35mOhm @ 53A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3.4mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8390 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：308 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.035 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：318 A
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：2200 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
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