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RF MOSFETs 晶体管 / MDS60L
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MDS60L
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans GP BJT 65V 4A 3-Pin Case 55AW
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 表面安装：YES
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：3
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：MDS60L
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Package Description：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
- Risk Rank：5.85
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：65 V
- RoHS：Compliant
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 最大功率耗散：120 W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：2
- JESD-30代码：R-CDFM-F2
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：120 W
- 箱体转运：BASE
- 极性/通道类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：65 V
- 最大集电极电流：4 A
- 增益：10 dB
- 转换频率：1.09 GHz
- 集电极基极电压(VCBO)：65 V
- 最大耗散功率(Abs)：120 W
- 发射极基极电压 (VEBO)：3.5 V
- 最小直流增益（hFE）：20
- 集电极-发射器电压-最大值：65 V
- 最高频段：L带
- 辐射硬化：无
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