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RF MOSFETs 晶体管 / CLY5
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： CLY5
- 厂商： TriQuint
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装：
- 描述： Trans JFET 9V 1.2A 4-Pin(3 Tab) SOT-223
- 库存地点： 内地
- 库存： 23000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 底架：表面贴装
- 引脚数：4
- 质量：188.014037 mg
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：砷化镓
- Drain Current-Max (ID)：1.2 A
- Number of Elements：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Manufacturer Part Number：CLY5
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：QORVO INC
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Risk Rank：5.34
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- RoHS：Compliant
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：2 W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 频率：1.8 GHz
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 箱体转运：SOURCE
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss)：9 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：1.2 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：-6 V
- 增益：9.5 dB
- DS 击穿电压-最小值：9 V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最高频段：S带
- 功率增益-最小值(Gp)：9 dB
- 辐射硬化：无
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