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分立半导体 / MMBZ27VDA-V-GS08
- 价格 起订量
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- 型号： MMBZ27VDA-V-GS08
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 分立半导体
- 封装：
- 描述： Zener Diodes RECOMMENDED ALT 78-MMBZ27VDA-E3-08
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 二极管元件材料：SILICON
- 终端数量：3
- Manufacturer Part Number：MMBZ27VDA-V-GS08
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：威世半导体
- Package Description：R-PDSO-G3
- Risk Rank：5.68
- Breakdown Voltage-Nom：27 V
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：2
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Power Dissipation (Max)：0.225 W
- Reflow Temperature-Max (s)：10
- Breakdown Voltage / V：25.65 V
- Reverse Stand-off Voltage：22 V
- RoHS：Compliant
- 包装：Tape & Reel
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- HTS代码：8541.10.00.50
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 工作电源电压：22 V
- 极性：BIDIRECTIONAL
- 配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
- 泄漏电流：80 nA
- 二极管类型：跨压抑制二极管
- 最大反向漏电电流：80 nA
- 箝位电压 ：38 V
- 峰值脉冲电流：1 A
- 最大浪涌电流：1 A
- 峰值脉冲功率：40 W
- 方向：双向
- 测试电流：1 mA
- Rep Pk反向电压-最大值：22 V
- 反向击穿电压：25.65 V
- 最大非代表峰值转速功率Dis：40 W
- 击穿电压-最小值：25.65 V
- 最大箝位电压 ：38 V
- 击穿电压-最大值：28.35 V
- 最小击穿电压：25.65 V
- 辐射硬化：无
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