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分立半导体 / MPLAD18KP30AE3
- 价格 起订量
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- 型号： MPLAD18KP30AE3
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 分立半导体
- 封装： Nonstandard SMD
- 描述： SURFACE MOUNT 18,000 WATT, TVS, PLAD, VWM=30V, VBR=33.3V, ID=10A, IPP=372A, VC=48.4V TEMP COEFF=35 ROHS COMPLIANT: YES
- 库存地点： 内地
- 库存： 47
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：非标准 SMD
- 供应商器件包装：PLAD
- Risk Rank：5.8
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Part Life Cycle Code：活跃
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：MPLAD18KP30AE3
- Package：Bulk
- Base Product Number：PLAD18
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Breakdown Voltage / V：33.3 V
- Pd - Power Dissipation：2.5 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vesd - Voltage ESD Contact：-
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Ipp - Peak Pulse Current：372 A
- Pppm - Peak Pulse Power Dissipation：18 kW
- Brand：微芯片技术
- RoHS：Details
- Vesd - Voltage ESD Air Gap：-
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500
- 包装：Bulk
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：Zener
- 应用：通用型
- HTS代码：8541.10.00.50
- 子类别：TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
- Reach合规守则：compliant
- 终端样式：SMD/SMT
- 工作电源电压：30 V
- 工作电压：30 V
- 极性：单向
- 通道数量：1 Channel
- 电源线保护：无
- 电压 - 击穿：33.3V
- 功率 - 脉冲峰值：18000W (18kW)
- 峰值脉冲电流（10/1000μs）：372A
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：48.4V
- 箝位电压 ：48.4 V
- 电压 - 反向断态（典型值）：30V
- 单向通道：1
- 产品类别：TVS 二极管
- 电容@频率：-
- Vf-正向电压：2 V
- 产品类别：ESD Suppressors / TVS Diodes
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