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RF MOSFETs 晶体管 / PTF080901EV1X
- 价格 起订量
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- 型号： PTF080901EV1X
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.75
- Automotive：无
- PPAP：无
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Process Technology：LDMOS
- Maximum Drain Source Voltage (V)：65
- Maximum Gate Source Voltage (V)：12
- Maximum VSWR：10
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：1000
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：100(Typ)@10V
- Maximum Power Dissipation (mW)：335000
- Output Power (W)：90
- Typical Power Gain (dB)：18
- Maximum Frequency (MHz)：960
- Minimum Frequency (MHz)：869
- Typical Drain Efficiency (%)：42
- Minimum Operating Temperature (°C)：-40
- Maximum Operating Temperature (°C)：200
- Mounting：Screw
- Package Height：3.61
- Package Width：9.78
- Package Length：34.04
- PCB changed：3
- Supplier Package：Case 30248
- 零件状态：Obsolete
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：N
- 操作方式：EDGE|2-Tone
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