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RF MOSFETs 晶体管 / BLP8G20S-80PY
- 价格 起订量
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- 型号： BLP8G20S-80PY
- 厂商： Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.75
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Process Technology：LDMOS
- Maximum Drain Source Voltage (V)：65
- Maximum Gate Source Voltage (V)：13
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：2.25
- Maximum VSWR：10
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：120
- Maximum IDSS (uA)：1.2
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：320(Typ)@3.75V
- Typical Forward Transconductance (S)：0.41
- Output Power (W)：14.2(Typ)
- Typical Power Gain (dB)：17.5
- Maximum Frequency (MHz)：2200
- Minimum Frequency (MHz)：1800
- Typical Drain Efficiency (%)：33
- Minimum Operating Temperature (°C)：-65
- Maximum Operating Temperature (°C)：225
- Mounting：表面贴装
- Package Height：3.6
- Package Width：9.96
- Package Length：20.57
- PCB changed：4
- Supplier Package：HSOP-F
- 包装：卷带
- 零件状态：Obsolete
- 引脚数量：4
- 配置：双共源
- 信道型：N
- 操作方式：2-Carrier W-CDMA
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