RF BJT 晶体管 / 2N2907A

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型号： 2N2907A
厂商： RECTRON(丽正)
类别： RF BJT 晶体管
封装： TO-18-3
描述：
库存地点：内地
库存： 4914
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-18-3
材料：Si
EU RoHS：Compliant
ECCN (US)：EAR99
HTS：8541.21.00.75
Automotive：无
PPAP：无
Number of Elements per Chip：1
Maximum Collector Base Voltage (V)：60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)：60
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)：60 to 70
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
Maximum Emitter Base Voltage (V)：5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)：1.3@15mA@150mA|2.6@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)：0.6
Maximum DC Collector Current Range (A)：0.5 to 2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)：10
Minimum DC Current Gain：75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V
Minimum DC Current Gain Range：50 to 120
Typical Input Capacitance (pF)：30(Max)
Typical Output Capacitance (pF)：8(Max)
Maximum Power Dissipation (mW)：400
Maximum Transition Frequency (MHz)：200(Min)
Maximum Turn-On Time (ns)：45
Maximum Turn-Off Time (ns)：100
Maximum Rise Time (ns)：40
Minimum Operating Temperature (°C)：-65
Maximum Operating Temperature (°C)：200
Mounting：通孔
Package Height：5.33(Max)
PCB changed：3
Supplier Package：TO-18
Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
Pd - Power Dissipation：400 mW
Transistor Polarity：PNP
Maximum Operating Temperature：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.6 V
Minimum Operating Temperature：- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10000
Mounting Styles：通孔
Gain Bandwidth Product fT：200 MHz
Manufacturer：Rectron
Brand：Rectron
Maximum DC Collector Current：600 mA
DC Current Gain hFE Max：50
RoHS：Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
包装：Bag
零件状态：Unconfirmed
类型：PNP
子类别：Transistors
技术：Si
引脚数量：3
配置：Single
产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
集电极基极电压(VCBO)：60 V
连续集电极电流：600 mA
产品类别：Bipolar Transistors - BJT
直径：5.84(Max)