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RF BJT 晶体管 / BFP650FE6327XT
- 价格 起订量
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- 型号： BFP650FE6327XT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： RF BJT 晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：4
- 材料：SiGe
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：有
- PPAP：Unknown
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Collector Base Voltage (V)：13
- Maximum Collector-Emitter Voltage (V)：4
- Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)：&l;20
- Maximum Emitter Base Voltage (V)：1.2
- Maximum DC Collector Current (A)：0.15
- Maximum DC Collector Current Range (A)：0.12 to 0.5
- Minimum DC Current Gain：110@80mA@3V
- Minimum DC Current Gain Range：50 to 120
- Maximum Power Dissipation (mW)：500
- Maximum Transition Frequency (MHz)：42000(Typ)
- Minimum Operating Temperature (°C)：-65
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Supplier Temperature Grade：汽车
- Mounting：表面贴装
- Package Height：0.55
- Package Width：0.8
- Package Length：1.4
- PCB changed：4
- Supplier Package：TSFP
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- 包装：卷带
- 零件状态：Obsolete
- 类型：NPN
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- 频率：42 GHz
- 引脚数量：4
- 极性：NPN
- 配置：单双发射器
- 功率耗散：500 mW
- 集电极发射器电压(VCEO)：4 V
- 集电极基极电压(VCBO)：13 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：1.2 V
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