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MOSFETs 晶体管阵列 / JANTX2N6796U
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- 型号： JANTX2N6796U
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 67
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：18
- 终端数量：15
- 晶体管元件材料：SILICON
- EU RoHS：不合规
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.10.00.80
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HEXFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：100
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：8
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：207@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：29(Max)@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：29(Max)
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：660@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：25000
- Typical Fall Time (ns)：45(Max)
- Typical Rise Time (ns)：75(Max)
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：40(Max)
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：30(Max)
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Supplier Temperature Grade：Military
- Mounting：表面贴装
- Package Height：3.22(Max)
- Package Width：7.49(Max)
- Package Length：9.14(Max)
- PCB changed：18
- Standard Package Name：LLCC
- Supplier Package：LLCC
- Lead Shape：No Lead
- Schedule B：8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- RoHS：Non-Compliant
- Package Description：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
- Package Style：CHIP CARRIER
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JANTX2N6796U
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：7.72
- Part Package Code：LCC
- Drain Current-Max (ID)：8 A
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：活跃
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：125 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：QUAD
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：18
- 参考标准：MIL-19500/557
- JESD-30代码：R-CQCC-N15
- 资历状况：Qualified
- 配置：单六进制漏八进制源双门
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：25 W
- 箱体转运：SOURCE
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：5 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.195 Ω
- 漏源击穿电压：100 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：32 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：134 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：180 mΩ
- 通态电阻：200 mΩ
- 辐射硬化：无
- 无铅：含铅
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