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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDS6990S
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FDS6990S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 6451
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Maximum Drain Source Voltage (V)：30
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：7.5
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：22@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：11@5V
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：1233@15V
- Maximum Power Dissipation (mW)：2000
- Typical Fall Time (ns)：11
- Typical Rise Time (ns)：5
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：25
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：8
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：1.65(Max)
- Package Width：3.9
- Package Length：4.9
- PCB changed：8
- Standard Package Name：SOP
- Supplier Package：SOIC N
- Lead Shape：Gull-wing
- Package Description：SO-8
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：FDS6990S
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.34
- Part Package Code：SOT
- Drain Current-Max (ID)：7.5 A
- 包装：卷带
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 零件状态：Obsolete
- 端子表面处理：哑光锡
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：双排双泄
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.022 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20 A
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 信道型：N
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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