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MOSFETs 晶体管阵列 / SP001075902
- 价格 起订量
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- 型号： SP001075902
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：OptiMOS 5
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Maximum Drain Source Voltage (V)：25
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±16
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：2
- Operating Junction Temperature (°C)：-55 to 150
- Maximum Continuous Drain Current (A)：31@Q 1|50@Q 2
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：3@10V@Q 1|0.8@10V@Q 2
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：5.6@4.5V@Q 1|20@4.5V@Q 2
- Typical Gate to Drain Charge (nC)：1.4@Q 1|4.7@Q 2
- Typical Gate to Source Charge (nC)：2@Q 1|6.4@Q 2
- Typical Reverse Recovery Charge (nC)：10@Q 1|20@Q 2
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：780@12V@Q 1|2700@12V@Q 2
- Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)：38@12V@Q 1|130@12V@Q 2
- Minimum Gate Threshold Voltage (V)：1.2
- Typical Output Capacitance (pF)：390@Q 1|1400@Q 2
- Maximum Power Dissipation (mW)：6250
- Typical Fall Time (ns)：1.4@Q 1|2.6@Q 2
- Typical Rise Time (ns)：4.7@Q 1|4.3@Q 2
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：4.3@Q 1|8.8@Q 2
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：4.3@Q 1|5.6@Q 2
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)：6.25
- Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)：160
- Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)：50
- Typical Diode Forward Voltage (V)：0.84@Q 1|0.77@Q 2
- Typical Gate Plateau Voltage (V)：2.6@Q 1|2.3@Q 2
- Maximum Diode Forward Voltage (V)：1
- Typical Gate Threshold Voltage (V)：1.6
- Maximum Gate Resistance (Ohm)：1.2
- Maximum Positive Gate Source Voltage (V)：16
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 配置：Dual
- 信道型：N
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