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MOSFETs 晶体管阵列 / PMXB120EPEZ
- 价格 起订量
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- 型号： PMXB120EPEZ
- 厂商： Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：TMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：30
- Maximum Gate Source Voltage (V)：20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：2.5
- Operating Junction Temperature (°C)：-55 to 150
- Maximum Continuous Drain Current (A)：2.4
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：10000
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：120@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：6.2@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：6.2
- Typical Gate to Drain Charge (nC)：1.1
- Typical Gate to Source Charge (nC)：0.9
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：309@15V
- Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)：32@15V
- Minimum Gate Threshold Voltage (V)：1
- Typical Output Capacitance (pF)：41
- Maximum Power Dissipation (mW)：1070
- Typical Fall Time (ns)：7
- Typical Rise Time (ns)：11
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：16
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：4
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)：1070
- Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)：10
- Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)：312
- Typical Diode Forward Voltage (V)：0.8
- Typical Gate Plateau Voltage (V)：2.7
- Maximum Diode Forward Voltage (V)：1.2
- Typical Gate Threshold Voltage (V)：1.5
- Maximum Positive Gate Source Voltage (V)：20
- Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)：2.4
- Mounting：表面贴装
- Package Height：0.36(Max)
- Package Width：1
- Package Length：1.1
- PCB changed：3
- Supplier Package：DFN-D EP
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：P
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