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MOSFETs 晶体管阵列 / IPA50R190CEXKSA1
- 价格 起订量
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- 型号： IPA50R190CEXKSA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：CoolMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：500
- Maximum Gate Source Voltage (V)：20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：3.5
- Maximum Continuous Drain Current (A)：24.8
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：190@13V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：47.2@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：47.2
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：1137@100V
- Maximum Power Dissipation (mW)：32000
- Typical Fall Time (ns)：7.5
- Typical Rise Time (ns)：8.5
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：54
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：9.5
- Minimum Operating Temperature (°C)：-40
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：通孔
- Package Height：15.99
- Package Width：4.7
- Package Length：10.5
- PCB changed：3
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-220
- Supplier Package：TO-220FP
- Lead Shape：通孔
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IPA50R190CEXKSA1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.75
- Part Package Code：TO-220AB
- 包装：Tube
- 无铅代码：有
- 零件状态：Obsolete
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：18.5 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.19 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：63 A
- DS 击穿电压-最小值：500 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：339 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：32 W
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