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MOSFETs 晶体管阵列 / IXTY01N100
- 价格 起订量
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- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IXTY01N100
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 42
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-252-3
- 材料：Si
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.10.00.80
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：1000
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：0.1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：80000@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：6.9@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：6.9
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：54@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：25000
- Typical Fall Time (ns)：28
- Typical Rise Time (ns)：12
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：28
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：12
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：2.38(Max)
- Package Width：6.22(Max)
- Package Length：6.73(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-252AA
- Continuous Drain Current：0.1(A)
- Drain-Source On-Volt：1000(V)
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：TO-252AA
- Operating Temp Range：-55C to 150C
- Gate-Source Voltage (Max)：±20(V)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Qualification：-
- Continuous Drain Current Id：100mA
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1 kV
- Pd - Power Dissipation：25 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Rds On - Drain-Source Resistance：80 Ohms
- Id - Continuous Drain Current：100 mA
- 系列：IXTY01N100
- 零件状态：活跃
- 类型：功率MOSFET
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 极性：N
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：25(W)
- 信道型：N
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