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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / AOB410L
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： AOB410L
- 厂商： Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 38
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：TO-263 (D2Pak)
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：Unknown
- PPAP：Unknown
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：TMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：100
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±25
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4
- Maximum Continuous Drain Current (A)：12
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：10
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：6.2@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：107@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：107
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：6622@50V
- Maximum Power Dissipation (mW)：333000
- Typical Fall Time (ns)：14.5
- Typical Rise Time (ns)：22
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：43.5
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：28
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Mounting：表面贴装
- Package Height：4.45
- Package Width：9.14
- Package Length：10.03
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-263
- Supplier Package：D2PAK
- Package：Bulk
- Base Product Number：AOB410
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A (Ta), 150A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：7V, 10V
- 厂商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Power Dissipation (Max)：1.9W (Ta), 333W (Tc)
- Product Status：活跃
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：AOB410L
- Manufacturer：Alpha & Omega Semiconductor
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
- Risk Rank：5.75
- 包装：卷带
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：SDMOS™
- 零件状态：活跃
- 子类别：FET 通用电源
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.5mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7950 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：129 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：150 A
- 信道型：N
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：333 W
- 场效应管特性：-
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