图片经供参考,以实物为准

MOSFETs 晶体管阵列 / IRHN7054

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IRHN7054
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装:
  • 描述:
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • EU RoHS:不合规
  • ECCN (US):出口接触方式
  • HTS:8541.29.00.95
  • Automotive:
  • PPAP:
  • Category:功率MOSFET
  • Channel Mode:Enhancement
  • Number of Elements per Chip:1
  • Maximum Drain Source Voltage (V):60
  • Maximum Gate Source Voltage (V):±20
  • Maximum Continuous Drain Current (A):35
  • Maximum Drain Source Resistance (MOhm):30@12V
  • Typical Gate Charge @ Vgs (nC):200(Max)@12V
  • Typical Input Capacitance @ Vds (pF):4100@25V
  • Maximum Power Dissipation (mW):150000
  • Typical Fall Time (ns):75(Max)
  • Typical Rise Time (ns):100(Max)
  • Typical Turn-Off Delay Time (ns):75(Max)
  • Typical Turn-On Delay Time (ns):27(Max)
  • Minimum Operating Temperature (°C):-55
  • Maximum Operating Temperature (°C):150
  • Mounting:表面贴装
  • Package Height:3.58(Max)
  • Package Width:16(Max)
  • Package Length:11.55(Max)
  • PCB changed:3
  • Standard Package Name:SMD
  • Supplier Package:SMD-1
  • Package Description:HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN
  • Package Style:CHIP CARRIER
  • Package Body Material:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IRHN7054
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Infineon Technologies AG
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:5.14
  • Drain Current-Max (ID):35 A
  • JESD-609代码:e0
  • 零件状态:活跃
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • 附加功能:辐射硬化
  • 子类别:FET 通用电源
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:无铅
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:unknown
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-CBCC-N3
  • 资历状况:不合格
  • 配置:Single
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:DRAIN
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):42 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.03 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):283 A
  • DS 击穿电压-最小值:60 V
  • 信道型:N
  • 雪崩能量等级(Eas):500 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):100 W

采购询价