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MOSFETs 晶体管阵列 / JANSR2N7616UB

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: JANSR2N7616UB
  • 厂商: Infineon(英飞凌)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装:
  • 描述:
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • EU RoHS:不合规
  • ECCN (US):出口接触方式
  • HTS:8541.29.00.95
  • Automotive:
  • PPAP:
  • Category:功率MOSFET
  • Process Technology:CMOS
  • Channel Mode:Enhancement
  • Number of Elements per Chip:1
  • Maximum Drain Source Voltage (V):60
  • Maximum Gate Source Voltage (V):±10
  • Maximum Continuous Drain Current (A):0.8
  • Maximum Drain Source Resistance (MOhm):680@4.5V
  • Typical Gate Charge @ Vgs (nC):3.6(Max)@4.5V
  • Typical Input Capacitance @ Vds (pF):166@25V
  • Maximum Power Dissipation (mW):600
  • Typical Fall Time (ns):13(Max)
  • Typical Rise Time (ns):24(Max)
  • Typical Turn-Off Delay Time (ns):30(Max)
  • Typical Turn-On Delay Time (ns):8(Max)
  • Minimum Operating Temperature (°C):-55
  • Maximum Operating Temperature (°C):125
  • Mounting:表面贴装
  • Package Height:1.42(Max)
  • Package Width:2.74(Max)
  • Package Length:3.25(Max)
  • PCB changed:4
  • Standard Package Name:Module
  • Supplier Package:UB型壳体
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:UNSPECIFIED
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:JANSR2N7616UB
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:Infineon Technologies AG
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Risk Rank:5.31
  • Drain Current-Max (ID):0.8 A
  • 零件状态:活跃
  • ECCN 代码:EAR99
  • 附加功能:逻辑电平兼容
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:无铅
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:4
  • 参考标准:MIL-19500/744
  • JESD-30代码:R-XDSO-N3
  • 资历状况:Qualified
  • 配置:Single
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.68 Ω
  • DS 击穿电压-最小值:60 V
  • 信道型:N
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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