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MOSFETs 晶体管阵列 / PMDXB550UNEZ
- 价格 起订量
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- 型号： PMDXB550UNEZ
- 厂商： Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.21.00.95
- SVHC：有
- Automotive：Unknown
- PPAP：Unknown
- Category：小信号
- Process Technology：TMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Maximum Drain Source Voltage (V)：30
- Maximum Gate Source Voltage (V)：8
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：0.95
- Maximum Continuous Drain Current (A)：590
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：5000
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：670@4.5V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：0.6@4.5V
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：30.3@15V
- Maximum Power Dissipation (mW)：410
- Typical Fall Time (ns)：3
- Typical Rise Time (ns)：7
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：12
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：4
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：0.36(Max)
- Package Width：1
- Package Length：1.1
- PCB changed：6
- Supplier Package：DFN-B EP
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 引脚数量：6
- 配置：双排双泄
- 信道型：N
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