MOSFETs 晶体管阵列 / BSC059N03SGXT

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型号： BSC059N03SGXT
厂商： Infineon(英飞凌)
类别： MOSFETs 晶体管阵列
封装：
描述：
库存地点：内地
库存：暂无库存
货期： 1 - 3 个工作日

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
表面安装：YES
终端数量：8
晶体管元件材料：SILICON
EU RoHS：Compliant
ECCN (US)：EAR99
Automotive：无
PPAP：无
Category：功率MOSFET
Process Technology：OptiMOS
Channel Mode：Enhancement
Number of Elements per Chip：1
Maximum Drain Source Voltage (V)：30
Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
Maximum Continuous Drain Current (A)：17.5
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：5.5@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：15@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：2010@15V
Maximum Power Dissipation (mW)：2800
Typical Fall Time (ns)：3.8
Typical Rise Time (ns)：4.8
Typical Turn-Off Delay Time (ns)：22
Typical Turn-On Delay Time (ns)：5.7
Minimum Operating Temperature (°C)：-55
Maximum Operating Temperature (°C)：150
Mounting：表面贴装
Package Height：1
Package Width：5.9
Package Length：5.15
PCB changed：8
Standard Package Name：SON
Supplier Package：TDSON EP
Lead Shape：No Lead
Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Package Style：小概要
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：40
Manufacturer Part Number：BSC059N03SGXT
Package Shape：RECTANGULAR
Manufacturer：Infineon Technologies AG
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：Obsolete
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：5.83
Drain Current-Max (ID)：17.5 A
包装：卷带
JESD-609代码：e3
无铅代码：有
零件状态：Obsolete
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：哑光锡
附加功能：逻辑电平兼容
端子位置：DUAL
终端形式：FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）：260
Reach合规守则：unknown
引脚数量：8
JESD-30代码：R-PDSO-F8
资历状况：不合格
配置：单四漏三源
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
晶体管应用：SWITCHING
极性/通道类型：N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻：0.0086 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：200 A
DS 击穿电压-最小值：30 V
信道型：N
雪崩能量等级（Eas）：150 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR