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MOSFETs 晶体管阵列 / BSO612CVNT
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： BSO612CVNT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：不合规
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：小信号
- Process Technology：SIPMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：2
- Maximum Drain Source Voltage (V)：60
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：3@N Channel|2@P Channel
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：120@10V@N Channel|300@10V@P Channel
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：10.3@10V@N Channel|10.5@10V@P Channel
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：10.3@N Channel|10.5@P Channel
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：275@25V@N Channel|320@25V@P Channel
- Maximum Power Dissipation (mW)：2000
- Typical Fall Time (ns)：30@N Channel|95@P Channel
- Typical Rise Time (ns)：35@N Channel|60@P Channel
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：25@N Channel|145@P Channel
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：12@N Channel|15@P Channel
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：1.5
- Package Width：4
- Package Length：5
- PCB changed：8
- Standard Package Name：SOP
- Supplier Package：SO
- Lead Shape：Gull-wing
- 零件状态：Obsolete
- 引脚数量：8
- 配置：双排双泄
- 信道型：N|P
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