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MOSFETs 晶体管阵列 / PSMN4R0-40YS,115
- 价格 起订量
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- 型号： PSMN4R0-40YS,115
- 厂商： Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：TMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：40
- Maximum Gate Source Voltage (V)：20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：100
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：4.2@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：31@10V|38@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：31|38
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：2410@20V
- Maximum Power Dissipation (mW)：106000
- Typical Fall Time (ns)：12
- Typical Rise Time (ns)：19
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：34
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：18
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Mounting：表面贴装
- Package Height：1.1(Max)
- Package Width：4.1(Max)
- Package Length：5(Max)
- PCB changed：4
- Tab：Tab
- Supplier Package：LFPAK
- 包装：卷带
- 零件状态：NRND
- 引脚数量：5
- 配置：单一三源
- 信道型：N
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