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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRFC3810B
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IRFC3810B
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： Die
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：Die
- 供应商器件包装：Die
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：100
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：9@10V
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Package Height：0.38(Max)
- Package Width：7.75
- Package Length：9.4
- Supplier Package：Die
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：170A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：-
- Product Status：Obsolete
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：IRFC3810B
- Manufacturer：International Rectifier
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：5.84
- 操作温度：-
- 系列：HEXFET®
- 零件状态：Obsolete
- 子类别：FET 通用电源
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- Reach合规守则：unknown
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：-
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9mOhm @ 170A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：-
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 信道型：N
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
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