MOSFETs 晶体管阵列 / IPB320N20N3GXT

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型号： IPB320N20N3GXT
厂商： Infineon(英飞凌)
类别： MOSFETs 晶体管阵列
封装：
描述：
库存地点：内地
库存：暂无库存
货期： 1 - 3 个工作日

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
EU RoHS：符合免除
ECCN (US)：EAR99
HTS：8541.29.00.95
SVHC：有
SVHC Exceeds Threshold：有
Automotive：无
PPAP：无
Category：功率MOSFET
Process Technology：OptiMOS
Channel Mode：Enhancement
Number of Elements per Chip：1
Maximum Drain Source Voltage (V)：200
Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4
Operating Junction Temperature (°C)：-55 to 175
Maximum Continuous Drain Current (A)：34
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
Maximum IDSS (uA)：1
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：32@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：22@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)：22
Typical Gate to Drain Charge (nC)：3
Typical Gate to Source Charge (nC)：8
Typical Reverse Recovery Charge (nC)：500
Typical Switch Charge (nC)：5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：1770@100V
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)：4@100V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)：2
Typical Output Capacitance (pF)：135
Maximum Power Dissipation (mW)：136000
Typical Fall Time (ns)：4
Typical Rise Time (ns)：9
Typical Turn-Off Delay Time (ns)：21
Typical Turn-On Delay Time (ns)：11
Minimum Operating Temperature (°C)：-55
Maximum Operating Temperature (°C)：175
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)：136
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)：40
Typical Diode Forward Voltage (V)：0.9
Typical Gate Plateau Voltage (V)：4.4
Typical Reverse Recovery Time (ns)：110
Maximum Diode Forward Voltage (V)：1.2
Typical Gate Threshold Voltage (V)：3
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)：20
Mounting：表面贴装
Package Height：4.4
Package Width：9.25
Package Length：10
PCB changed：2
Tab：Tab
Standard Package Name：TO-263
Supplier Package：D2PAK
Lead Shape：Gull-wing
包装：卷带
零件状态：Unconfirmed
引脚数量：3
配置：Single
信道型：N