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MOSFETs 晶体管阵列 / BSC059N03SGT
- 价格 起订量
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- 型号： BSC059N03SGT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：OptiMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：30
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：17.5
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：5.5@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：15@5V
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：2010@15V
- Maximum Power Dissipation (mW)：2800
- Typical Fall Time (ns)：3.8
- Typical Rise Time (ns)：4.8
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：22
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：5.7
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- 零件状态：Obsolete
- 配置：单四漏三源
- 信道型：N
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