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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IXTH36P15P
- 价格 起订量
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- 型号： IXTH36P15P
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-247-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- EU RoHS：符合免除
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：150
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4.5
- Maximum Continuous Drain Current (A)：36
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：10
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：110@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：55@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：55
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：3100@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：300000
- Typical Fall Time (ns)：15
- Typical Rise Time (ns)：31
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：36
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：21
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：通孔
- Package Height：21.46(Max)
- Package Width：5.3(Max)
- Package Length：16.26(Max)
- PCB changed：3
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-247AD
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：150 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.5 V
- Pd - Power Dissipation：300 W
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：通孔
- Qg - Gate Charge：55 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：110 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：36 A
- 系列：IXTH36P15
- 零件状态：活跃
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 信道型：P
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