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MOSFETs 晶体管阵列 / IXTP15P15T
- 价格 起订量
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- 型号： IXTP15P15T
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-220-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 397
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-220-3
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：无
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：3650@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：150000
- Typical Fall Time (ns)：11
- Typical Rise Time (ns)：14
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：36
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：21
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：通孔
- Package Height：9.15(Max)
- Package Width：4.83(Max)
- Package Length：10.66(Max)
- PCB changed：3
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-220AB
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：48
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：48@10V
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：240@10V
- Maximum IDSS (uA)：10
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：50
- Maximum Continuous Drain Current (A)：15
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4.5
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±15
- Maximum Drain Source Voltage (V)：150
- Number of Elements per Chip：1
- Channel Mode：Enhancement
- Process Technology：TrenchP
- Category：功率MOSFET
- PPAP：无
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：150 V
- Transistor Polarity：P-Channel
- Mounting Styles：通孔
- Rds On - Drain-Source Resistance：240 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：15 A
- 系列：IXTP15P15
- 零件状态：活跃
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：P
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