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MOSFETs 晶体管阵列 / IXTP56N15T
- 价格 起订量
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- ￥ 0 10+
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- 型号： IXTP56N15T
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-220-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-220-3
- EU RoHS：符合免除
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：TMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：150
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：5
- Maximum Continuous Drain Current (A)：56
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：5
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：36@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：34@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：34
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：2250@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：300000
- Typical Fall Time (ns)：18
- Typical Rise Time (ns)：17
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：43
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：16
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Mounting：通孔
- Package Height：9.15(Max)
- Package Width：4.83(Max)
- Package Length：10.66(Max)
- PCB changed：3
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-220
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：150 V
- Mounting Styles：通孔
- Rds On - Drain-Source Resistance：36 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：56 A
- 零件状态：活跃
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：N
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