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MOSFETs 晶体管阵列 / IXFA34N65X2-TRL
- 价格 起订量
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- 型号： IXFA34N65X2-TRL
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-263-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-263-3
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HiperFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：650
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±30
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：5
- Maximum Continuous Drain Current (A)：34
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：10
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：100@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：56@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：56
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：3230@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：540000
- Typical Fall Time (ns)：30
- Typical Rise Time (ns)：60
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：64
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：37
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：4.83(Max)
- Package Width：9.4(Max)
- Package Length：10.41(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-263
- Supplier Package：D2PAK
- Lead Shape：Gull-wing
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.5 V
- Pd - Power Dissipation：540 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Qg - Gate Charge：56 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：100 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：34 A
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 信道型：N
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