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MOSFETs 晶体管阵列 / IXFP130N10T
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IXFP130N10T
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-220-3
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 49
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-220-3
- EU RoHS：Compliant
- Automotive：Unknown
- PPAP：Unknown
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HiperFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：100
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：130
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：9.1@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：104@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：104
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：5080@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：360000
- Typical Fall Time (ns)：28
- Typical Rise Time (ns)：47
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：44
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：30
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Mounting：通孔
- Package Height：9.15(Max)
- Package Width：4.83(Max)
- Package Length：10.66(Max)
- PCB changed：3
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-220AB
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Transistor Polarity：N-Channel
- Mounting Styles：通孔
- Rds On - Drain-Source Resistance：9.1 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：130 A
- 零件状态：活跃
- 技术：Si
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：N
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