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MOSFETs 晶体管阵列 / JANSF2N7519U3
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: JANSF2N7519U3
- 厂商: Infineon(英飞凌)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装:
- 描述:
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 材料:Si
- EU RoHS:供应商未确认
- ECCN (US):出口接触方式
- HTS:8541.29.00.95
- Automotive:无
- PPAP:无
- Category:功率MOSFET
- Channel Mode:Enhancement
- Number of Elements per Chip:1
- Maximum Drain Source Voltage (V):30
- Maximum Gate Source Voltage (V):±20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V):4
- Maximum Continuous Drain Current (A):22
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA):100
- Maximum IDSS (uA):10
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm):84@12V
- Maximum Power Dissipation (mW):75000
- Typical Fall Time (ns):70
- Typical Rise Time (ns):10
- Typical Turn-Off Delay Time (ns):50
- Typical Turn-On Delay Time (ns):25
- Minimum Operating Temperature (°C):-55
- Maximum Operating Temperature (°C):150
- Supplier Temperature Grade:Military
- Mounting:表面贴装
- Package Height:2.61(Max)
- Package Width:10.28(Max)
- Package Length:7.64(Max)
- PCB changed:3
- Supplier Package:SMD-0.5
- 零件状态:活跃
- 引脚数量:3
- 配置:Single
- 信道型:P
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