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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IXTA10P50P
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IXTA10P50P
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：500
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4.5
- Operating Junction Temperature (°C)：-55 to 150
- Maximum Continuous Drain Current (A)：10
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：10
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：1000@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：50@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：50
- Typical Gate to Drain Charge (nC)：18
- Typical Gate to Source Charge (nC)：17
- Typical Reverse Recovery Charge (nC)：5900
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：2840@25V
- Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)：42@25V
- Minimum Gate Threshold Voltage (V)：2
- Typical Output Capacitance (pF)：275
- Maximum Power Dissipation (mW)：300000
- Typical Fall Time (ns)：44
- Typical Rise Time (ns)：28
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：52
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：20
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Maximum Positive Gate Source Voltage (V)：20
- Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)：30
- Typical Gate Plateau Voltage (V)：5.3
- Typical Reverse Recovery Time (ns)：414
- Maximum Diode Forward Voltage (V)：3
- Mounting：表面贴装
- Package Height：4.83(Max)
- Package Width：9.65(Max)
- Package Length：10.41(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-263
- Supplier Package：D2PAK
- Lead Shape：Gull-wing
- 零件状态：活跃
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 信道型：P
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