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单相BJT晶体管 / 2N3740A

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: 2N3740A
  • 厂商: Microchip Technology
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-66-2
  • 描述: Bipolar Transistors - BJT Power BJT
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 5
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:TO-66-2
  • 安装类型:通孔
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:TO-66 (TO-213AA)
  • 终端数量:2
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:N
  • Mounting Styles:通孔
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
  • Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:600 mV
  • Maximum DC Collector Current:4 A
  • Pd - Power Dissipation:25 W
  • Gain Bandwidth Product fT:3 MHz
  • Minimum Operating Temperature:- 65 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 200 C
  • DC Collector/Base Gain hfe Min:30 at 250mA, 1 VDC
  • DC Current Gain hFE Max:100 at 250 mA, 1 VDC
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
  • Package:Bulk
  • Current-Collector (Ic) (Max):10 A
  • Base Product Number:2N3740
  • 厂商:微芯片技术
  • Product Status:活跃
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:METAL
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:200 °C
  • Rohs Code:
  • Transition Frequency-Nom (fT):3 MHz
  • Manufacturer Part Number:2N3740A
  • Package Shape:ROUND
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
  • Risk Rank:5.03
  • 包装:Tray
  • 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • 系列:-
  • JESD-609代码:e0
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • 附加功能:HIGH RELIABILITY
  • HTS代码:8541.29.00.95
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:PIN/PEG
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:not_compliant
  • JESD-30代码:O-MBFM-P2
  • 资历状况:不合格
  • 配置:Single
  • 功率 - 最大:25 W
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:40 @ 100mA, 1V
  • 最大集极截止电流:1µA
  • JEDEC-95代码:TO-66
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):600mV @ 125mA, 1A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 频率转换:3MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):60 V
  • 最大耗散功率(Abs):25 W
  • 集电极电流-最大值(IC):4 A
  • 最小直流增益(hFE):10
  • 连续集电极电流:4 A
  • 集电极-发射器电压-最大值:60 V

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