单相BJT晶体管 / 2N3057A

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型号： 2N3057A
厂商： Microchip Technology
类别：单相BJT晶体管
封装： TO-46-3
描述： Bipolar Transistors - BJT BJTs
库存地点：内地
库存： 108
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 47.90283

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-46-3
安装类型：通孔
表面安装：NO
供应商器件包装：TO-46-3
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
RoHS：N
Mounting Styles：通孔
Transistor Polarity：NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：80 V
Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500 mV
Maximum DC Collector Current：1 A
Pd - Power Dissipation：500 mW
Gain Bandwidth Product fT：-
Minimum Operating Temperature：- 65 C
Maximum Operating Temperature：+ 200 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Unit Weight：0.082453 oz
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：1 A
Base Product Number：2N3057
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Package Description：TO-46, 3 PIN
Package Style：CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：175 °C
Rohs Code：无
Manufacturer Part Number：2N3057A
Package Shape：ROUND
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.16
Part Package Code：BCY
包装：Bulk
操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
系列：-
JESD-609代码：e4
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码：8541.21.00.95
端子位置：BOTTOM
终端形式：WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
引脚数量：3
JESD-30代码：O-MBCY-W3
资历状况：不合格
配置：Single
功率 - 最大：500 mW
极性/通道类型：NPN
晶体管类型：NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：50 @ 500mA, 10V
最大集极截止电流：10nA
JEDEC-95代码：TO-206AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
频率转换：-
集电极基极电压(VCBO)：140 V
集电极电流-最大值(IC)：1 A
最小直流增益（hFE）：15
连续集电极电流：1
集电极-发射器电压-最大值：80 V