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单MOSFET晶体管 / STD9N65DM6AG
- 价格 起订量
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- 型号： STD9N65DM6AG
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DPComplete Your Design
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：D-PAK (TO-252)
- RoHS：Details
- Qualification：AEC-Q100
- Tradename：MDmesh
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Continuous Drain Current Id：9
- Package：Bulk
- Base Product Number：STD9
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：89W (Tc)
- Product Status：活跃
- 包装：MouseReel
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 功率耗散：89
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：440mOhm @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：510 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.7 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 信道型：N通道
- 场效应管特性：-
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