首页 集成电路IC 存储器 IS43DR16320E-3DBL-TR
图片经供参考,以实物为准

存储器 / IS43DR16320E-3DBL-TR

  • 价格 起订量
  • ¥ 14.46470 1+
  • ¥ 13.64594 10+
  • ¥ 12.87353 100+
  • ¥ 12.14484 500+
  • ¥ 11.45740 1000+
  • 型号: IS43DR16320E-3DBL-TR
  • 厂商: Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 类别: 存储器
  • 封装: BGA-84
  • 描述: DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz a. CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 5
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 14.46470

付款方式

  • 支付宝
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  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:6 Weeks
  • 包装/外壳:BGA-84
  • 安装类型:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:84-TWBGA (8x12.5)
  • 终端数量:84
  • RoHS:Details
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Maximum Clock Frequency:333 MHz
  • Supply Voltage-Min:1.7 V
  • Minimum Operating Temperature:0 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 85 C
  • Moisture Sensitive:
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:2500
  • Maximum Clock Rate:333 MHz
  • Supplier Package:TWBGA
  • Number of I/O Lines:16 Bit
  • Mounting:表面贴装
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • 厂商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Product Status:活跃
  • Memory Types:Volatile
  • Supply Voltage-Max:1.9 V
  • Package Description:TFBGA,
  • Package Style:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
  • Number of Words Code:32000000
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Access Time-Max:0.45 ns
  • Operating Temperature-Max:85 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IS43DR16320E-3DBL-TR
  • Number of Words:33554432 words
  • Supply Voltage-Nom (Vsup):1.8 V
  • Risk Rank:5.62
  • Ihs Manufacturer:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Package Code:TFBGA
  • Usage Level:Commercial grade
  • 系列:IS43DR16320E
  • 包装:Reel
  • 操作温度:0 to 85 °C
  • 类型:SDRAM - DDR2
  • 附加功能:AUTO/SELF REFRESH
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 电压 - 供电 :1.7V ~ 1.9V
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:BALL
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • 功能数量:1
  • 端子间距:0.8 mm
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:84
  • JESD-30代码:R-PBGA-B84
  • 工作电源电压:5 V
  • 电源电压-最大值(Vsup):1.9 V
  • 温度等级:OTHER
  • 电源电压-最小值(Vsup):1.7 V
  • 内存大小:512 Mbit
  • 端口的数量:1
  • 操作模式:SYNCHRONOUS
  • 时钟频率:333 MHz
  • 电源电流-最大值:85 mA
  • 访问时间:450 ps
  • 内存格式:DRAM
  • 内存接口:SSTL_18
  • 数据总线宽度:16 bit
  • 组织结构:32 M x 16
  • 座位高度-最大:1.2 mm
  • 内存宽度:16
  • 写入周期时间 - 字符、页面:15ns
  • 地址总线宽度:13 Bit
  • 密度:512 Mbit
  • 记忆密度:536870912 bit
  • 筛选水平:Commercial
  • 内存IC类型:DDR DRAM
  • 访问模式:四库页面突发
  • 自我刷新:YES
  • 库存数量:4
  • 组织的记忆:32M x 16
  • 宽度:8 mm
  • 长度:12.5 mm