图片经供参考,以实物为准

存储器 / IS34MW02G084-BLI

  • 价格 起订量
  • ¥ 29.85823 1+
  • ¥ 28.16814 10+
  • ¥ 26.57372 100+
  • ¥ 25.06955 500+
  • ¥ 23.65051 1000+
  • 型号: IS34MW02G084-BLI
  • 厂商: Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 类别: 存储器
  • 封装: VFBGA-63
  • 描述: NAND Flash 2Gbit (x8,4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 44
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 29.85823

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:8 Weeks
  • 包装/外壳:VFBGA-63
  • 安装类型:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:63-VFBGA (9x11)
  • 终端数量:63
  • RoHS:Details
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Interface Type:Parallel
  • Timing Type:Asynchronous
  • Supply Voltage-Min:1.7 V
  • Minimum Operating Temperature:- 40 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 85 C
  • Active Read Current - Max:30 mA
  • Moisture Sensitive:
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:220
  • Supplier Package:VFBGA
  • Typical Operating Supply Voltage:1.8000 V
  • Minimum Operating Supply Voltage:1.7 V
  • ECC Support:
  • Block Organization:Symmetrical
  • Number of Words:256 MWords
  • Maximum Operating Supply Voltage:1.95 V
  • Cell Type:SLC NAND
  • Mounting:表面贴装
  • Package:Bulk
  • 厂商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Product Status:活跃
  • Memory Types:Non-Volatile
  • Supply Voltage-Max:1.95 V
  • Package Description:VFBGA-63
  • Package Style:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
  • Number of Words Code:256000000
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Operating Temperature-Min:-40 °C
  • Operating Temperature-Max:85 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:IS34MW02G084-BLI
  • Supply Voltage-Nom (Vsup):1.8 V
  • Package Code:VFBGA
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
  • Risk Rank:5.75
  • Usage Level:Industrial grade
  • 系列:IS34MW02G084
  • 操作温度:-40 to 85 °C
  • 类型:SLC NAND类型
  • 技术:FLASH - NAND (SLC)
  • 电压 - 供电 :1.7V ~ 1.95V
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:BALL
  • 功能数量:1
  • 端子间距:0.8 mm
  • Reach合规守则:compliant
  • 引脚数量:63
  • JESD-30代码:R-PBGA-B63
  • 电源电压-最大值(Vsup):1.95 V
  • 温度等级:INDUSTRIAL
  • 电源电压-最小值(Vsup):1.7 V
  • 内存大小:2 Gbit
  • 操作模式:ASYNCHRONOUS
  • 电源电流-最大值:30 mA
  • 访问时间:30 ns
  • 内存格式:FLASH
  • 内存接口:Parallel
  • 建筑学:Sectored
  • 数据总线宽度:8 bit
  • 组织结构:256 M x 8
  • 座位高度-最大:1 mm
  • 内存宽度:8
  • 写入周期时间 - 字符、页面:45ns
  • 地址总线宽度:8 Bit
  • 密度:2 Gbit
  • 记忆密度:2147483648 bit
  • 筛选水平:Industrial
  • 并行/串行:PARALLEL
  • 内存IC类型:FLASH
  • 编程电压:1.7, 1.95 V
  • 引导模块:
  • 组织的记忆:256M x 8
  • 宽度:9 mm
  • 长度:11 mm