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单片IGBT晶体管 / APT35GN120BG
- 价格 起订量
- ￥ 49.52665 1+
- ￥ 46.72326 10+
- ￥ 44.07854 100+
- ￥ 41.58353 500+
- ￥ 39.22975 1000+
- 型号： APT35GN120BG
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 124
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 49.52665
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-247 [B]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1.2 kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7 V
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 30 V, + 30 V
- Continuous Collector Current at 25 C：94 A
- Pd - Power Dissipation：379 W
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Continuous Collector Current Ic Max：94 A
- Gate-Emitter Leakage Current：600 nA
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：1.340411 oz
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：94 A
- Base Product Number：APT35GN120
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Test Conditions：800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 配置：Single
- 功率耗散：379
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：379 W
- 工作温度范围：- 55 C to + 150 C
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 35A
- 连续集电极电流：94 A
- IGBT类型：NPT, Trench Field Stop
- 闸门收费：220 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：105 A
- Td（开/关）@25°C：24ns/300ns
- 开关能量：2.315mJ (off)
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 宽度：16.26 mm
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