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单片IGBT晶体管 / SIGC28T65EX1SA1
- 价格 起订量
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- 型号： SIGC28T65EX1SA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： Die
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：Die
- 供应商器件包装：Die
- 包装数量：1
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Maximum Gate Emitter Voltage (V)：±20
- Maximum Collector-Emitter Voltage (V)：650
- Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)：1.45
- Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)：0.15
- Minimum Operating Temperature (°C)：-40
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Package Height：0.07
- Package Width：4.2
- Package Length：6.57
- PCB changed：3
- Supplier Package：Die
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.9
- RoHS：Non-Compliant
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：50 A
- Base Product Number：SIGC28
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Test Conditions：-
- 包装：Wafer
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：TrenchStop™
- 零件状态：活跃
- 最高工作温度：175 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 输入类型：Standard
- 无卤素：无卤素
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- 集电极发射器电压(VCEO)：650 V
- 最大双电源电压：650 V
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 信道型：N
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.77V @ 15V, 50A
- 连续集电极电流：50
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 集极脉冲电流（Icm）：150 A
- Td（开/关）@25°C：-
- 开关能量：-
- 无铅：无铅
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