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MOSFETs 晶体管阵列 / AO6N7S60
- 价格 起订量
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- 型号： AO6N7S60
- 厂商： Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：Unknown
- PPAP：Unknown
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：AlphaMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：600
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±30
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：3.9
- Maximum Continuous Drain Current (A)：7
- Maximum Gate Source Leakage Current (nA)：100
- Maximum IDSS (uA)：1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：630@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：8.2@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：8.2
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：372@100V
- Maximum Power Dissipation (mW)：104000
- Typical Fall Time (ns)：15
- Typical Rise Time (ns)：13
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：50
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：19
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：0.95(Max)
- Package Width：5.55
- Package Length：5.2
- PCB changed：8
- Standard Package Name：DFN
- Supplier Package：DFN EP
- Lead Shape：No Lead
- Continuous Drain Current：7(A)
- Drain-Source On-Volt：600(V)
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：DFN EP
- Operating Temp Range：-55C to 150C
- Gate-Source Voltage (Max)：±30(V)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- 零件状态：Unconfirmed
- 类型：功率MOSFET
- 引脚数量：8
- 极性：N
- 配置：单四漏三源
- 功率耗散：104(W)
- 信道型：N
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