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单相BJT晶体管 / TTC015B,Q
- 价格 起订量
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- 型号： TTC015B,Q
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
- 库存地点： 内地
- 库存： 506
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 供应商器件包装：TO-126N
- 厂商：东芝半导体与存储
- Package：Tray
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：2 A
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：160 V
- RoHS：Details
- DC Current Gain hFE Max：200
- Maximum DC Collector Current：2 A
- Brand：Toshiba
- Manufacturer：Toshiba
- Gain Bandwidth Product fT：150 MHz
- Mounting Styles：通孔
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：250
- Minimum Operating Temperature：-
- Unit Weight：0.029630 oz
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300 mV
- DC Collector/Base Gain hfe Min：100
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Transistor Polarity：NPN
- Pd - Power Dissipation：1.5 W
- Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
- 系列：-
- 操作温度：150°C (TJ)
- 包装：Tray
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：1.5 W
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 500mA, 2V
- 最大集极截止电流：100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 100mA, 1A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：150MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：160 V
- 连续集电极电流：2 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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