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单相BJT晶体管 / PBSS4360PAS-QX
- 价格 起订量
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- 型号： PBSS4360PAS-QX
- 厂商： Nexperia USA Inc.
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： 3-PowerUDFN
- 描述： TRANS NPN 60V 3A DFN2020D-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-PowerUDFN
- 供应商器件包装：3-HUSON (2x2)
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：3 A
- Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
- Pd - Power Dissipation：2.5 W
- Transistor Polarity：NPN
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：75 at 3 A, 5 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：220 mV
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：160 MHz
- Part # Aliases：934664885115
- Manufacturer：Nexperia
- Brand：Nexperia
- Maximum DC Collector Current：6 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 操作温度：175°C (TJ)
- 包装：切割胶带
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：600 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 1A, 5V
- 最大集极截止电流：100nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：325mV @ 300mA, 3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
- 频率转换：160MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 连续集电极电流：3 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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