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存储器 / MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
- 厂商: Micron Technology Inc.
- 类别: 存储器
- 封装: 556-TFBGA
- 描述: IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 712
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:556-TFBGA
- 供应商器件包装:556-TFBGA (12.4x12.4)
- 厂商:Micron Technology Inc.
- Package:Tray
- Product Status:活跃
- Memory Types:Volatile
- Base Product Number:MT53E512
- DRAM Type:Mobile LPDDR4
- MSL:MSL 3 - 168 hours
- RoHS:Details
- Brand:Micron
- Manufacturer:美光技术
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1360
- Mounting Styles:SMD/SMT
- 系列:-
- 操作温度:-25°C ~ 85°C (TC)
- 包装:Tray
- 类型:SDRAM - LPDDR4
- 子类别:Memory & Data Storage
- 电压 - 供电 :1.06V ~ 1.17V
- 内存大小:32Gbit
- 时钟频率:2.133 GHz
- 访问时间:3.5 ns
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 写入周期时间 - 字符、页面:18ns
- 产品类别:DRAM
- 产品类别:DRAM
- 组织的记忆:512M x 64
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