首页 集成电路IC 存储器 GS8673ED18BGK-500I
图片经供参考,以实物为准

存储器 / GS8673ED18BGK-500I

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: GS8673ED18BGK-500I
  • 厂商: GSI Technology
  • 类别: 存储器
  • 封装: BGA-260
  • 描述: SRAM 1.2/1.5V 4M x 18 72M
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2048
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:12 Weeks
  • 包装/外壳:BGA-260
  • 表面安装:YES
  • 引脚数:260
  • 终端数量:260
  • RoHS:Details
  • Maximum Clock Frequency:500 MHz
  • Interface Type:Parallel
  • Supply Voltage-Min:1.25 V
  • Minimum Operating Temperature:- 40 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 100 C
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Memory Types:DDR
  • Moisture Sensitive:
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:8
  • Tradename:SigmaQuad-IIIe
  • Maximum Clock Rate:500 MHz
  • Supplier Package:BGA
  • Data Rate Architecture:QDR
  • Typical Operating Supply Voltage:1.3500 V
  • Minimum Operating Supply Voltage:1.25 V
  • Timing Type:Synchronous
  • Number of Words:4 MWords
  • Number of I/O Lines:18 Bit
  • Maximum Operating Supply Voltage:1.4 V
  • Mounting:表面贴装
  • Supply Voltage-Max:1.4 V
  • Package Description:HBGA,
  • Package Style:GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
  • Number of Words Code:4000000
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:GS8673ED18BGK-500I
  • Supply Voltage-Nom (Vsup):1.3 V
  • Package Code:HBGA
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:GSI TECHNOLOGY
  • Risk Rank:5.73
  • Usage Level:Industrial grade
  • 包装:Tray
  • 系列:GS8673ED18BGK
  • 操作温度:-40 to 85 °C
  • ECCN 代码:3A991.B.2.B
  • 类型:SigmaQuad-IIIe B4
  • 附加功能:IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE
  • HTS代码:8542.32.00.41
  • 技术:CMOS
  • 端子位置:BOTTOM
  • 终端形式:BALL
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • 功能数量:1
  • 端子间距:1 mm
  • Reach合规守则:compliant
  • JESD-30代码:R-PBGA-B260
  • 内存大小:72 Mbit
  • 端口的数量:1
  • 操作模式:SYNCHRONOUS
  • 电源电流-最大值:1.77 A
  • 数据率:1 Gb/s
  • 建筑学:Pipelined
  • 组织结构:4 M x 18
  • 座位高度-最大:2.3 mm
  • 内存宽度:18
  • 地址总线宽度:20 Bit
  • 密度:72 Mbit
  • 记忆密度:75497472 bit
  • 筛选水平:Industrial
  • 并行/串行:PARALLEL
  • 内存IC类型:DDR SRAM
  • 电压 - 供电 (最大值):1.4 V
  • 电压 - 供电 (最小值):1.25 V
  • 宽度:14 mm
  • 长度:22 mm

采购询价